现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2009年
7期
171-173
,共3页
赝配高电子迁移率晶体管%微波单片集成电路%功率放大器%增益
贗配高電子遷移率晶體管%微波單片集成電路%功率放大器%增益
안배고전자천이솔정체관%미파단편집성전로%공솔방대기%증익
介绍一种PHEMT MMIC功率放大器设计与实现方案.方案采用内匹配电路,盒体设计考虑到电路腔体内部电磁兼容特性的影响,因此具有增益高、集成度高、寄生特性较低、可靠性高和可操作性好等优点.将此设计方案通过仿真验证,结果表明各项指标可以满足设计预期的期望值,同时证明了方案的可行性.
介紹一種PHEMT MMIC功率放大器設計與實現方案.方案採用內匹配電路,盒體設計攷慮到電路腔體內部電磁兼容特性的影響,因此具有增益高、集成度高、寄生特性較低、可靠性高和可操作性好等優點.將此設計方案通過倣真驗證,結果錶明各項指標可以滿足設計預期的期望值,同時證明瞭方案的可行性.
개소일충PHEMT MMIC공솔방대기설계여실현방안.방안채용내필배전로,합체설계고필도전로강체내부전자겸용특성적영향,인차구유증익고、집성도고、기생특성교저、가고성고화가조작성호등우점.장차설계방안통과방진험증,결과표명각항지표가이만족설계예기적기망치,동시증명료방안적가행성.
