CAJ | 학술논문

万方数据

太阳能学报 태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2004年 2期 127-132 ,共6页

杨恢东%吴春亚%黄君凯%麦耀华%张晓丹%薛俊明%任慧志%赵颖%耿新华%熊绍珍

양회동%오춘아%황군개%맥요화%장효단%설준명%임혜지%조영%경신화%웅소진

光发射谱%氢化微晶硅薄膜%甚高频等离子体化学气相沉积%高速沉积光髮射譜%氫化微晶硅薄膜%甚高頻等離子體化學氣相沉積%高速沉積
광발사보%경화미정규박막%심고빈등리자체화학기상침적%고속침적

采用光发射谱(OES)技术对氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)生长过程进行了原位监测,并对不同沉积条件下VHF等离子体中SiH*和H*的发光峰强度与薄膜沉积速率之间的关系进行了分析与讨论.通过Raman光谱、X射线衍射与扫描电子显微镜(SEM)测量,研究了μc-Si:H薄膜的结构特征与表面形貌.基于当前的沉积系统,对μc-Si:H薄膜沉积条件进行了初步优化,使μc-Si:H薄膜的沉积速率提高到2.0nm/s.
채용광발사보(OES)기술대경화미정규(μc-Si:H)박막적심고빈등리자체증강화학기상침적(VHF-PECVD)생장과정진행료원위감측,병대불동침적조건하VHF등리자체중SiH*화H*적발광봉강도여박막침적속솔지간적관계진행료분석여토론.통과Raman광보、X사선연사여소묘전자현미경(SEM)측량,연구료μc-Si:H박막적결구특정여표면형모.기우당전적침적계통,대μc-Si:H박막침적조건진행료초보우화,사μc-Si:H박막적침적속솔제고도2.0nm/s.