固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
3期
291-295
,共5页
微波单片集成电路%倒扣焊技术%共面波导%低噪声放大器
微波單片集成電路%倒釦銲技術%共麵波導%低譟聲放大器
미파단편집성전로%도구한기술%공면파도%저조성방대기
研究了倒扣焊封装的共面波导(CPW)X波段低噪声单片放大器的设计方法、制作工艺及测量结果,验证了倒扣焊技术在微波频段应用的可行性.低噪声放大器单片是在GaAs MMIC工艺线上用全离子注入、0.8 μm栅工艺研制完成.单片电路使用共面波导作为传输线,它可以将电磁场束缚在较小的空间内,受倒扣衬底的影响较微带线小.与传统的引线键合技术相比,单片倒扣焊于陶瓷载体上,性能有明显改善,在9.2～10.3 GHz,G≈12.1 dB.
研究瞭倒釦銲封裝的共麵波導(CPW)X波段低譟聲單片放大器的設計方法、製作工藝及測量結果,驗證瞭倒釦銲技術在微波頻段應用的可行性.低譟聲放大器單片是在GaAs MMIC工藝線上用全離子註入、0.8 μm柵工藝研製完成.單片電路使用共麵波導作為傳輸線,它可以將電磁場束縳在較小的空間內,受倒釦襯底的影響較微帶線小.與傳統的引線鍵閤技術相比,單片倒釦銲于陶瓷載體上,性能有明顯改善,在9.2～10.3 GHz,G≈12.1 dB.
연구료도구한봉장적공면파도(CPW)X파단저조성단편방대기적설계방법、제작공예급측량결과,험증료도구한기술재미파빈단응용적가행성.저조성방대기단편시재GaAs MMIC공예선상용전리자주입、0.8 μm책공예연제완성.단편전로사용공면파도작위전수선,타가이장전자장속박재교소적공간내,수도구츤저적영향교미대선소.여전통적인선건합기술상비,단편도구한우도자재체상,성능유명현개선,재9.2～10.3 GHz,G≈12.1 dB.
