固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
3期
373-377
,共5页
马和良%陈磊%张润曦%赖宗声
馬和良%陳磊%張潤晞%賴宗聲
마화량%진뢰%장윤희%뢰종성
双频段%低噪声放大器%无线局域网
雙頻段%低譟聲放大器%無線跼域網
쌍빈단%저조성방대기%무선국역망
采用0.18μm CMOS 工艺设计并制造了一款新型的应用于无线局域网的双频段低噪声放大器.设计中,通过切换输入电感和负载电感,来使电路分别工作在2.4 GHz和5.2 GHz频段.在1.8 V的电源电压下,在2.4 GHz和5.2 GHz两个频段上,其增益分别达到了11.5 dB和10.2 dB,噪声系数分别是3 dB和5.1 dB.芯片总面积是0.9 mm×0.65 mm.
採用0.18μm CMOS 工藝設計併製造瞭一款新型的應用于無線跼域網的雙頻段低譟聲放大器.設計中,通過切換輸入電感和負載電感,來使電路分彆工作在2.4 GHz和5.2 GHz頻段.在1.8 V的電源電壓下,在2.4 GHz和5.2 GHz兩箇頻段上,其增益分彆達到瞭11.5 dB和10.2 dB,譟聲繫數分彆是3 dB和5.1 dB.芯片總麵積是0.9 mm×0.65 mm.
채용0.18μm CMOS 공예설계병제조료일관신형적응용우무선국역망적쌍빈단저조성방대기.설계중,통과절환수입전감화부재전감,래사전로분별공작재2.4 GHz화5.2 GHz빈단.재1.8 V적전원전압하,재2.4 GHz화5.2 GHz량개빈단상,기증익분별체도료11.5 dB화10.2 dB,조성계수분별시3 dB화5.1 dB.심편총면적시0.9 mm×0.65 mm.
