半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
3期
206-211
,共6页
常麟%崔彬%周旗钢%戴小林%吴志强%肖清华
常麟%崔彬%週旂鋼%戴小林%吳誌彊%肖清華
상린%최빈%주기강%대소림%오지강%초청화
直拉硅单晶%晶体生长速度%微缺陷%有限元分析%数值模拟
直拉硅單晶%晶體生長速度%微缺陷%有限元分析%數值模擬
직랍규단정%정체생장속도%미결함%유한원분석%수치모의
利用有限元分析软件对φ为300 mm直拉硅单晶生长过程进行模拟,分析了硅单晶体中微缺陷的类型和分布随不同晶体生长速度的变化规律.随着晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中以空位为主的微缺陷区域逐渐增大,如水晶起源粒子(crystal originated particles,COP),以间隙原子为主的微缺陷区域逐渐减小,同时,间隙型微缺陷的浓度呈现不断减小的趋势,空位型微缺陷的浓度呈现不断增大的趋势.晶体生长速度的不断增大,硅单晶体中间隙型微缺陷的浓度与空位型微缺陷的浓度近似相等的区域先增大,后减小.通过Cu缀饰实验和流体图案缺陷(flow pattern defect,FPD)密度测量,将所得微缺陷类型、浓度的实验结果与晶体生长速度对硅晶体微缺陷影响的数值模拟结果进行了对比,实验结果验证了数值模拟的结果.
利用有限元分析軟件對φ為300 mm直拉硅單晶生長過程進行模擬,分析瞭硅單晶體中微缺陷的類型和分佈隨不同晶體生長速度的變化規律.隨著晶體生長速度的不斷增大,硅單晶體中以空位為主的微缺陷區域逐漸增大,如水晶起源粒子(crystal originated particles,COP),以間隙原子為主的微缺陷區域逐漸減小,同時,間隙型微缺陷的濃度呈現不斷減小的趨勢,空位型微缺陷的濃度呈現不斷增大的趨勢.晶體生長速度的不斷增大,硅單晶體中間隙型微缺陷的濃度與空位型微缺陷的濃度近似相等的區域先增大,後減小.通過Cu綴飾實驗和流體圖案缺陷(flow pattern defect,FPD)密度測量,將所得微缺陷類型、濃度的實驗結果與晶體生長速度對硅晶體微缺陷影響的數值模擬結果進行瞭對比,實驗結果驗證瞭數值模擬的結果.
이용유한원분석연건대φ위300 mm직랍규단정생장과정진행모의,분석료규단정체중미결함적류형화분포수불동정체생장속도적변화규률.수착정체생장속도적불단증대,규단정체중이공위위주적미결함구역축점증대,여수정기원입자(crystal originated particles,COP),이간극원자위주적미결함구역축점감소,동시,간극형미결함적농도정현불단감소적추세,공위형미결함적농도정현불단증대적추세.정체생장속도적불단증대,규단정체중간극형미결함적농도여공위형미결함적농도근사상등적구역선증대,후감소.통과Cu철식실험화류체도안결함(flow pattern defect,FPD)밀도측량,장소득미결함류형、농도적실험결과여정체생장속도대규정체미결함영향적수치모의결과진행료대비,실험결과험증료수치모의적결과.
