苏州大学学报(自然科学版)
囌州大學學報(自然科學版)
소주대학학보(자연과학판)
JOURNAL OF SUZHOU UNIVERSITY NATURAL SCIENCE
2004年
3期
55-60
,共6页
氢化硅%表面结构%经验紧束缚近似
氫化硅%錶麵結構%經驗緊束縳近似
경화규%표면결구%경험긴속박근사
采用经验紧束缚近似(empirical tight-binding)方法模拟了Si(100)表面0.5ML(monolayer)氢化结构.通过对各种可能的0.5ML氢化Si(100)表面模型的能量的计算,得到了能量结构最为稳定的表面拓扑构造,并确定了其键长、键角、不对称性等参数,还证实了实验上在Si(100)-p (2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H稳定结构的结论.
採用經驗緊束縳近似(empirical tight-binding)方法模擬瞭Si(100)錶麵0.5ML(monolayer)氫化結構.通過對各種可能的0.5ML氫化Si(100)錶麵模型的能量的計算,得到瞭能量結構最為穩定的錶麵拓撲構造,併確定瞭其鍵長、鍵角、不對稱性等參數,還證實瞭實驗上在Si(100)-p (2×2)基底上亦可形成c(4×4)-H穩定結構的結論.
채용경험긴속박근사(empirical tight-binding)방법모의료Si(100)표면0.5ML(monolayer)경화결구.통과대각충가능적0.5ML경화Si(100)표면모형적능량적계산,득도료능량결구최위은정적표면탁복구조,병학정료기건장、건각、불대칭성등삼수,환증실료실험상재Si(100)-p (2×2)기저상역가형성c(4×4)-H은정결구적결론.
