基于干/湿法腐蚀的自对准SiGe HBT器件
기우간/습법부식적자대준SiGe HBT기건
Self-Aligned SiGe HBT Based on Dry-Wet Etching
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 1期 102-105 ,共4页

    刘道广%郝跃%徐世六%李开成%李培咸%张晓菊%张金凤%郑雪峰%张静%刘嵘侃%刘伦才

    류도엄%학약%서세륙%리개성%리배함%장효국%장금봉%정설봉%장정%류영간%류륜재

    自对准%SiGe材料%干/湿法腐蚀 自對準%SiGe材料%榦/濕法腐蝕
    자대준%SiGe재료%간/습법부식
    采用干/湿法腐蚀相结合技术,利用氢氧化钾(KOH)溶液和六氟化硫(SF6)对Si及SiGe材料进行腐蚀,研究自对准Si/SiGe HBT台面器件,获得了fT＝40GHz,fmax＝127.1GHz的结果.
    채용간/습법부식상결합기술,이용경양화갑(KOH)용액화륙불화류(SF6)대Si급SiGe재료진행부식,연구자대준Si/SiGe HBT태면기건,획득료fT＝40GHz,fmax＝127.1GHz적결과.
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