微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
75-78
,共4页
田秀伟%冯震%王勇%宋建博%张志国
田秀偉%馮震%王勇%宋建博%張誌國
전수위%풍진%왕용%송건박%장지국
GaN高电子迁移率晶体管%肖特基接触%理想因子%泄漏电流%表面处理%表面钝化
GaN高電子遷移率晶體管%肖特基接觸%理想因子%洩漏電流%錶麵處理%錶麵鈍化
GaN고전자천이솔정체관%초특기접촉%이상인자%설루전류%표면처리%표면둔화
研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF):V(H2O)=1:5溶液清洗刻蚀后的表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8.对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,发现SiN钝化膜的折射率为2.3～2.4时,钝化对肖特基特性的影响较小,但反向泄漏电流较大.
研究瞭AIGaN/GaN HEMT製備中相關工藝對器件肖特基特性的影響,併對工藝進行瞭優化.首先研究瞭錶麵處理對器件肖特基勢壘特性的影響,對不同的錶麵處理方法進行瞭比較,髮現採用氧等離子體處理,併用V(HF):V(H2O)=1:5溶液清洗刻蝕後的錶麵,可以有效減小錶麵態密度,未經處理的樣品肖特基接觸理想因子為2.6,處理後理想因子減小到1.8.對SiN鈍化膜的摺射率與肖特基特性的關繫進行瞭研究,髮現SiN鈍化膜的摺射率為2.3～2.4時,鈍化對肖特基特性的影響較小,但反嚮洩漏電流較大.
연구료AIGaN/GaN HEMT제비중상관공예대기건초특기특성적영향,병대공예진행료우화.수선연구료표면처리대기건초특기세루특성적영향,대불동적표면처리방법진행료비교,발현채용양등리자체처리,병용V(HF):V(H2O)=1:5용액청세각식후적표면,가이유효감소표면태밀도,미경처리적양품초특기접촉이상인자위2.6,처리후이상인자감소도1.8.대SiN둔화막적절사솔여초특기특성적관계진행료연구,발현SiN둔화막적절사솔위2.3～2.4시,둔화대초특기특성적영향교소,단반향설루전류교대.
