重庆工学院学报（自然科学版）
重慶工學院學報（自然科學版）
중경공학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF CHONGQING INSTITUTE OF TECHNOLOGY
2009年
8期
172-175
,共4页
多孔硅%法布里-珀罗干涉%脉冲腐蚀%光学厚度%传感
多孔硅%法佈裏-珀囉榦涉%脈遲腐蝕%光學厚度%傳感
다공규%법포리-박라간섭%맥충부식%광학후도%전감
采用电化学脉冲腐蚀法,在P型单晶硅片上制备了多孔硅(Porous Silicon,PS).以制备的多孔硅为传感元件,利用电感耦合器件(CCD)记录了乙醇蒸汽的反射干涉图.反射光谱经IGOR软件进行傅里叶变换后,得到多孔硅的光学厚度值,并以此为依据探讨多孔硅对乙醇蒸汽的传感特性.实验结果表明,当PS膜暴露于乙醇蒸汽中时,反射谱吸收峰位发生红移,相应的光学厚度也发生红移;当乙醇气体体积分数大于500×10-6时,PS的光学厚度急剧增大.
採用電化學脈遲腐蝕法,在P型單晶硅片上製備瞭多孔硅(Porous Silicon,PS).以製備的多孔硅為傳感元件,利用電感耦閤器件(CCD)記錄瞭乙醇蒸汽的反射榦涉圖.反射光譜經IGOR軟件進行傅裏葉變換後,得到多孔硅的光學厚度值,併以此為依據探討多孔硅對乙醇蒸汽的傳感特性.實驗結果錶明,噹PS膜暴露于乙醇蒸汽中時,反射譜吸收峰位髮生紅移,相應的光學厚度也髮生紅移;噹乙醇氣體體積分數大于500×10-6時,PS的光學厚度急劇增大.
채용전화학맥충부식법,재P형단정규편상제비료다공규(Porous Silicon,PS).이제비적다공규위전감원건,이용전감우합기건(CCD)기록료을순증기적반사간섭도.반사광보경IGOR연건진행부리협변환후,득도다공규적광학후도치,병이차위의거탐토다공규대을순증기적전감특성.실험결과표명,당PS막폭로우을순증기중시,반사보흡수봉위발생홍이,상응적광학후도야발생홍이;당을순기체체적분수대우500×10-6시,PS적광학후도급극증대.
