电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
11期
104-107
,共4页
锁相环%CMOS%压控振荡器%相位噪声
鎖相環%CMOS%壓控振盪器%相位譟聲
쇄상배%CMOS%압공진탕기%상위조성
设计了两种压控振荡器,一种为反相器环形振荡器,另一种为差分环形振荡器.采用0.18 μm标准CMOS工艺进行模拟,后仿真的结果显示压控环形结构的最高频率达到3.3 GHz,在1.8 V电源下的功耗为2.34 mW.对压控振荡器的最大工作频率、功耗、压频传输特性等进行了分析比较,总结了高性能压控振荡器应具备的条件.
設計瞭兩種壓控振盪器,一種為反相器環形振盪器,另一種為差分環形振盪器.採用0.18 μm標準CMOS工藝進行模擬,後倣真的結果顯示壓控環形結構的最高頻率達到3.3 GHz,在1.8 V電源下的功耗為2.34 mW.對壓控振盪器的最大工作頻率、功耗、壓頻傳輸特性等進行瞭分析比較,總結瞭高性能壓控振盪器應具備的條件.
설계료량충압공진탕기,일충위반상기배형진탕기,령일충위차분배형진탕기.채용0.18 μm표준CMOS공예진행모의,후방진적결과현시압공배형결구적최고빈솔체도3.3 GHz,재1.8 V전원하적공모위2.34 mW.대압공진탕기적최대공작빈솔、공모、압빈전수특성등진행료분석비교,총결료고성능압공진탕기응구비적조건.
