半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
6期
538-541
,共4页
程东方%汪维勇%易志飞%沈伟星
程東方%汪維勇%易誌飛%瀋偉星
정동방%왕유용%역지비%침위성
LDMOS%宏模型%准饱和效应%物理模型
LDMOS%宏模型%準飽和效應%物理模型
LDMOS%굉모형%준포화효응%물리모형
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个JFET有源器件构建成可用于电路仿真的LDMOST宏模型,并在电路仿真器HSPICE上验证了该宏模型的正确性;证明了LDMOST输出曲线中的准饱和特性源自寄生JFET的自偏置效应;采用参数提取软件UTMOSTIII,提取了相应的参数;给出了该LDMOST开关延迟时间的表达式和相关模型参数的提取方法等.所得结论与实测结果基本吻合.
藉助二維數值模擬軟件ATHENA和ATLAS,研究分析瞭一款耐壓為700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作機製,提齣瞭用一箇MOST和兩箇JFET有源器件構建成可用于電路倣真的LDMOST宏模型,併在電路倣真器HSPICE上驗證瞭該宏模型的正確性;證明瞭LDMOST輸齣麯線中的準飽和特性源自寄生JFET的自偏置效應;採用參數提取軟件UTMOSTIII,提取瞭相應的參數;給齣瞭該LDMOST開關延遲時間的錶達式和相關模型參數的提取方法等.所得結論與實測結果基本吻閤.
차조이유수치모의연건ATHENA화ATLAS,연구분석료일관내압위700 V적외연형LDMOS관적공작특성.안기공작궤제,제출료용일개MOST화량개JFET유원기건구건성가용우전로방진적LDMOST굉모형,병재전로방진기HSPICE상험증료해굉모형적정학성;증명료LDMOST수출곡선중적준포화특성원자기생JFET적자편치효응;채용삼수제취연건UTMOSTIII,제취료상응적삼수;급출료해LDMOST개관연지시간적표체식화상관모형삼수적제취방법등.소득결론여실측결과기본문합.
