功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2012年
2期
178-182
,共5页
SOI结构%OB结构%导通电阻%电荷补偿
SOI結構%OB結構%導通電阻%電荷補償
SOI결구%OB결구%도통전조%전하보상
研究了一种具有OB(Oxide By - passed)结构的SOI LDMOS器件,分析了该器件的耐压机理以及结构特点,并通过SILVACO TCAD软件对该结构进行三维数值仿真.通过仿真验证可知,该结构通过类超结(SJ)电场调制技术获得了与超结器件类似的性能,该结构与SJ LDMOS在相同的尺寸情况下尽管耐压相同,但导通电阻从3.81mΩ·cm2降低到1.96mΩ·cm2,同时克服了SJ LDMOS器件制造工艺上高深宽比以及电荷浓度难易精确匹配的缺陷.
研究瞭一種具有OB(Oxide By - passed)結構的SOI LDMOS器件,分析瞭該器件的耐壓機理以及結構特點,併通過SILVACO TCAD軟件對該結構進行三維數值倣真.通過倣真驗證可知,該結構通過類超結(SJ)電場調製技術穫得瞭與超結器件類似的性能,該結構與SJ LDMOS在相同的呎吋情況下儘管耐壓相同,但導通電阻從3.81mΩ·cm2降低到1.96mΩ·cm2,同時剋服瞭SJ LDMOS器件製造工藝上高深寬比以及電荷濃度難易精確匹配的缺陷.
연구료일충구유OB(Oxide By - passed)결구적SOI LDMOS기건,분석료해기건적내압궤리이급결구특점,병통과SILVACO TCAD연건대해결구진행삼유수치방진.통과방진험증가지,해결구통과류초결(SJ)전장조제기술획득료여초결기건유사적성능,해결구여SJ LDMOS재상동적척촌정황하진관내압상동,단도통전조종3.81mΩ·cm2강저도1.96mΩ·cm2,동시극복료SJ LDMOS기건제조공예상고심관비이급전하농도난역정학필배적결함.
