CAJ | 학술논문

要使用射频磁控溅射和化学溶液法制备了SiO2/聚酰亚胺(PI)/SO绝缘膜.分别使用X射线衍射、扫描电镜对薄膜结构和薄膜表面形貌进行了表征；利用超高阻微电流测试仪测试了SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜漏电流和电压击穿特性；采用SiO2/PI/SO作为绝缘膜,制作了后栅型场致发射器件,使用场发射测试系统测试了器件的开启电压、发射电流以及发光亮度.结果表明:SiO2/PI/SiO2复合绝缘膜具有高的击穿电压和低的漏电流密度,后栅器件中栅极对阴极表面的电场强度调控作用明显,阳极电压为750V时,栅极开启电压为91 V,阳极电流可达384μA,栅极漏电流仅为59μA,器件最高亮度可达600 cd/m2.
요사용사빈자공천사화화학용액법제비료SiO2/취선아알(PI)/SO절연막.분별사용X사선연사、소묘전경대박막결구화박막표면형모진행료표정；이용초고조미전류측시의측시료SiO2/PI/SiO2복합절연막루전류화전압격천특성；채용SiO2/PI/SO작위절연막,제작료후책형장치발사기건,사용장발사측시계통측시료기건적개계전압、발사전류이급발광량도.결과표명:SiO2/PI/SiO2복합절연막구유고적격천전압화저적루전류밀도,후책기건중책겁대음겁표면적전장강도조공작용명현,양겁전압위750V시,책겁개계전압위91 V,양겁전류가체384μA,책겁루전류부위59μA,기건최고량도가체600 cd/m2.