光电子技术
光電子技術
광전자기술
OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY
2009年
2期
102-105
,共4页
光子晶体%光量子阱%传输矩阵%透射谱
光子晶體%光量子阱%傳輸矩陣%透射譜
광자정체%광양자정%전수구진%투사보
利用传输矩阵理论研究了形式为(AB)m(ABBA)n(BA)m一维对称光量子阱结构的传输特性.研究结果表明:一维光量子阱垒区和阱区不同周期数、介质A和介质B不同高低折射率比都会对该结构的禁带宽度和透射率影响很大,而选取不同的中心波长又会影响光量子阱的带隙位置.为了制作更精密的光学开关、光滤波器等光学器件,综合考虑这些因素的影响是十分必要的.
利用傳輸矩陣理論研究瞭形式為(AB)m(ABBA)n(BA)m一維對稱光量子阱結構的傳輸特性.研究結果錶明:一維光量子阱壘區和阱區不同週期數、介質A和介質B不同高低摺射率比都會對該結構的禁帶寬度和透射率影響很大,而選取不同的中心波長又會影響光量子阱的帶隙位置.為瞭製作更精密的光學開關、光濾波器等光學器件,綜閤攷慮這些因素的影響是十分必要的.
이용전수구진이론연구료형식위(AB)m(ABBA)n(BA)m일유대칭광양자정결구적전수특성.연구결과표명:일유광양자정루구화정구불동주기수、개질A화개질B불동고저절사솔비도회대해결구적금대관도화투사솔영향흔대,이선취불동적중심파장우회영향광양자정적대극위치.위료제작경정밀적광학개관、광려파기등광학기건,종합고필저사인소적영향시십분필요적.
