固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
402-407
,共6页
徐萍%何伟%张润曦%马和良%赖宗声
徐萍%何偉%張潤晞%馬和良%賴宗聲
서평%하위%장윤희%마화량%뢰종성
驱动放大器%射频识别%超高频%上混频器
驅動放大器%射頻識彆%超高頻%上混頻器
구동방대기%사빈식별%초고빈%상혼빈기
采用0.18 μm CMOS工艺设计并制作了一款应用于便携式UHF RFID阅读器的射频发射前端电路.所设计的有源I/Q上混频器通过开关控制Q支路的信号输入,实现了EPC Global Class-1Gen-2协议中所要求3种调制方式;驱动放大器通过实现增益7级数字可调有效地预放大混频器的输出信号.在1.8 V的电源电压下,测得阅读器前端电路的主要性能参数如下:上混频器的输入端P1 dB,达到-14.9 dB Vrms,转换增益和噪声系数分别为3.18 dB和13.20 dB;驱动放大器的输出端P1 dB在50 Ω阻抗上达到3.5 dBm,转换增益可调范围和噪声系数变化范围,分别为7.90～16.30 dB和3.10～5.00 dB.
採用0.18 μm CMOS工藝設計併製作瞭一款應用于便攜式UHF RFID閱讀器的射頻髮射前耑電路.所設計的有源I/Q上混頻器通過開關控製Q支路的信號輸入,實現瞭EPC Global Class-1Gen-2協議中所要求3種調製方式;驅動放大器通過實現增益7級數字可調有效地預放大混頻器的輸齣信號.在1.8 V的電源電壓下,測得閱讀器前耑電路的主要性能參數如下:上混頻器的輸入耑P1 dB,達到-14.9 dB Vrms,轉換增益和譟聲繫數分彆為3.18 dB和13.20 dB;驅動放大器的輸齣耑P1 dB在50 Ω阻抗上達到3.5 dBm,轉換增益可調範圍和譟聲繫數變化範圍,分彆為7.90～16.30 dB和3.10～5.00 dB.
채용0.18 μm CMOS공예설계병제작료일관응용우편휴식UHF RFID열독기적사빈발사전단전로.소설계적유원I/Q상혼빈기통과개관공제Q지로적신호수입,실현료EPC Global Class-1Gen-2협의중소요구3충조제방식;구동방대기통과실현증익7급수자가조유효지예방대혼빈기적수출신호.재1.8 V적전원전압하,측득열독기전단전로적주요성능삼수여하:상혼빈기적수입단P1 dB,체도-14.9 dB Vrms,전환증익화조성계수분별위3.18 dB화13.20 dB;구동방대기적수출단P1 dB재50 Ω조항상체도3.5 dBm,전환증익가조범위화조성계수변화범위,분별위7.90～16.30 dB화3.10～5.00 dB.
