微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
11期
713-717
,共5页
周敬然%张海英%瞿鹏飞%董玮%刘彩霞
週敬然%張海英%瞿鵬飛%董瑋%劉綵霞
주경연%장해영%구붕비%동위%류채하
微机电系统(MEMS)%加速度传感器%反应离子刻蚀%高深宽比%深刻蚀
微機電繫統(MEMS)%加速度傳感器%反應離子刻蝕%高深寬比%深刻蝕
미궤전계통(MEMS)%가속도전감기%반응리자각식%고심관비%심각식
针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了气体流量、射频功率和工作室气压设定值等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为40μm时深刻蚀的最佳工艺参数,即采用BOSCH工艺,压力设定为6 Pa,在刻蚀过程中通入流量为100 cm3/min的SF6气体,持续11 s,射频功率20 W,源功率450 W,保护过程中通入流量为75 cm3/min的C4F8气体,持续10s,射频功率0W,源功率220 W,得到了最佳刻蚀结果,并利用此工艺制作出了量程为±12 g,灵敏度为79 mV/g,精度高于±2%微机械加速度传感器.
針對ICP刻蝕工藝進行瞭深入研究,探討瞭氣體流量、射頻功率和工作室氣壓設定值等工藝參數對刻蝕效果的影響,最終在硅基底上穫得瞭線寬為40μm時深刻蝕的最佳工藝參數,即採用BOSCH工藝,壓力設定為6 Pa,在刻蝕過程中通入流量為100 cm3/min的SF6氣體,持續11 s,射頻功率20 W,源功率450 W,保護過程中通入流量為75 cm3/min的C4F8氣體,持續10s,射頻功率0W,源功率220 W,得到瞭最佳刻蝕結果,併利用此工藝製作齣瞭量程為±12 g,靈敏度為79 mV/g,精度高于±2%微機械加速度傳感器.
침대ICP각식공예진행료심입연구,탐토료기체류량、사빈공솔화공작실기압설정치등공예삼수대각식효과적영향,최종재규기저상획득료선관위40μm시심각식적최가공예삼수,즉채용BOSCH공예,압력설정위6 Pa,재각식과정중통입류량위100 cm3/min적SF6기체,지속11 s,사빈공솔20 W,원공솔450 W,보호과정중통입류량위75 cm3/min적C4F8기체,지속10s,사빈공솔0W,원공솔220 W,득도료최가각식결과,병이용차공예제작출료량정위±12 g,령민도위79 mV/g,정도고우±2%미궤계가속도전감기.
