微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2011年
5期
759-762
,共4页
张富%荣丽梅%袁之光%郭宇恒%周泳%杜江峰
張富%榮麗梅%袁之光%郭宇恆%週泳%杜江峰
장부%영려매%원지광%곽우항%주영%두강봉
SiO2薄膜%致密性%红外光谱法%折射率法
SiO2薄膜%緻密性%紅外光譜法%摺射率法
SiO2박막%치밀성%홍외광보법%절사솔법
论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点.制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试.结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关；而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法.
論述瞭錶徵SiO2薄膜緻密性的三種方法:紅外光譜法、摺射率法和腐蝕速率法,分析瞭它們各自的特點.製備瞭不同襯底和不同工藝的三箇熱氧化SiO2薄膜樣品,利用紅外光譜法和摺射率法對樣品進行瞭對比測試.結果錶明,採用紅外光譜法錶徵SiO2薄膜的緻密性時,主特徵吸收峰頻率不僅與薄膜緻密性相關,還與樣品的厚度和襯底等因素有關；而摺射率法受這些因素的影響較小,是錶徵SiO2薄膜緻密性較為適用的方法.
논술료표정SiO2박막치밀성적삼충방법:홍외광보법、절사솔법화부식속솔법,분석료타문각자적특점.제비료불동츤저화불동공예적삼개열양화SiO2박막양품,이용홍외광보법화절사솔법대양품진행료대비측시.결과표명,채용홍외광보법표정SiO2박막적치밀성시,주특정흡수봉빈솔불부여박막치밀성상관,환여양품적후도화츤저등인소유관；이절사솔법수저사인소적영향교소,시표정SiO2박막치밀성교위괄용적방법.
