CAJ | 학술논문

以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜.利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能.讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响.结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5％时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5％时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/口,电阻率达到1.1×10-Ω·cm.
이SnCl2·2H2O화SbCl3위원료,이용용효-응효법제비료SnO2∶Sb박막.이용XRD관찰료박막적결구특점,이용자외가견분광광도계측량료박막적투과솔,이용사탐침측시계통표정료박막적전학성능.토론료참잡농도이급SiO2완충층후도대박막광전성능적영향.결과표명,수착참잡농도적증대,박막적전조솔선강저이후략유승고,당참잡농도위5％시,박막전조솔체도최소,위8.7×10-3Ω·cm;병심입연구료완충층대박막성능적개선작용:당참잡농도위5％시,수착완충층수적증가,박막방괴전조정하강추세,최소가체도95Ω/구,전조솔체도1.1×10-Ω·cm.