功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2011年
5期
500-504
,共5页
李丽丽%丁铁柱%何杰%韩磊
李麗麗%丁鐵柱%何傑%韓磊
리려려%정철주%하걸%한뢰
PLD%CuIn1-xGaxSe2%热处理温度
PLD%CuIn1-xGaxSe2%熱處理溫度
PLD%CuIn1-xGaxSe2%열처리온도
采用脉冲激光溅射沉积法( PLD)制备了Cu - In - Ga双层预制膜,通过固态源硒化后热处理的方法获得了CuInl - xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究制备预制膜的工艺参数以及热处理温度对CIGS薄膜特性的影响.采用台阶仪、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度计研究了薄膜的厚度、表面形貌、成分、物相结构以及光学带隙.得到了制备具有较好光学性能CIGS薄膜的优化条件为:Cu、In、Ga的原子含量比为nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGJ(nIn+nGa)=0.28,硒化温度250℃,硒化时间60min,热处理温度为550℃,在此优化条件下得到的薄膜光学带隙为1.43eV,XRD表明CIGS薄膜是单一黄铜矿薄膜.
採用脈遲激光濺射沉積法( PLD)製備瞭Cu - In - Ga雙層預製膜,通過固態源硒化後熱處理的方法穫得瞭CuInl - xGaxSe2(CIGS)薄膜,研究製備預製膜的工藝參數以及熱處理溫度對CIGS薄膜特性的影響.採用檯階儀、SEM、EDS、XRD和紫外分光光度計研究瞭薄膜的厚度、錶麵形貌、成分、物相結構以及光學帶隙.得到瞭製備具有較好光學性能CIGS薄膜的優化條件為:Cu、In、Ga的原子含量比為nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGJ(nIn+nGa)=0.28,硒化溫度250℃,硒化時間60min,熱處理溫度為550℃,在此優化條件下得到的薄膜光學帶隙為1.43eV,XRD錶明CIGS薄膜是單一黃銅礦薄膜.
채용맥충격광천사침적법( PLD)제비료Cu - In - Ga쌍층예제막,통과고태원서화후열처리적방법획득료CuInl - xGaxSe2(CIGS)박막,연구제비예제막적공예삼수이급열처리온도대CIGS박막특성적영향.채용태계의、SEM、EDS、XRD화자외분광광도계연구료박막적후도、표면형모、성분、물상결구이급광학대극.득도료제비구유교호광학성능CIGS박막적우화조건위:Cu、In、Ga적원자함량비위nCu/(nIn+nGa)=0.98,nGJ(nIn+nGa)=0.28,서화온도250℃,서화시간60min,열처리온도위550℃,재차우화조건하득도적박막광학대극위1.43eV,XRD표명CIGS박막시단일황동광박막.
