科技广场
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과기엄장
SCIENCE TECHNOLOGY PLAZA
2011年
3期
135-138
,共4页
GaN%紫外探测%成像器件
GaN%紫外探測%成像器件
GaN%자외탐측%성상기건
GaN材料在光电子和微电子领域中得到广泛的应用,因此它是第三代半导体材料的典型代表.它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好(几乎不被任何酸腐蚀)等性质和强的杭辐照能力,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景.在成像技术方面,GaN类的成像器件包括紫外摄像机和紫外数字照相机.
GaN材料在光電子和微電子領域中得到廣汎的應用,因此它是第三代半導體材料的典型代錶.它具有寬的直接帶隙、彊的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好(幾乎不被任何痠腐蝕)等性質和彊的杭輻照能力,在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方麵有著廣闊的前景.在成像技術方麵,GaN類的成像器件包括紫外攝像機和紫外數字照相機.
GaN재료재광전자화미전자영역중득도엄범적응용,인차타시제삼대반도체재료적전형대표.타구유관적직접대극、강적원자건、고적열도솔、화학은정성호(궤호불피임하산부식)등성질화강적항복조능력,재광전자、고온대공솔기건화고빈미파기건응용방면유착엄활적전경.재성상기술방면,GaN류적성상기건포괄자외섭상궤화자외수자조상궤.
