材料导报
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재료도보
MATERIALS REVIEW
2010年
z1期
67-70
,共4页
姜宏伟%彭鸿雁%陈玉强%祁文涛%王军%曲晏宏
薑宏偉%彭鴻雁%陳玉彊%祁文濤%王軍%麯晏宏
강굉위%팽홍안%진옥강%기문도%왕군%곡안굉
直流热阴极PCVD%高甲烷浓度%纳米金刚石膜%间歇式
直流熱陰極PCVD%高甲烷濃度%納米金剛石膜%間歇式
직류열음겁PCVD%고갑완농도%납미금강석막%간헐식
采用直流热阴极PCVD技术,经过生长温度的周期性调整,达到清除多余游离碳和刻蚀非金刚石相的目的,实现了在高甲烷浓度条件下制备纳米金刚石膜.金刚石膜的生长过程分为沉积阶段和刻蚀去除阶段,沉积时间为15min,刻蚀时间为5min,生长周期为20min,总的沉积时间为6h.采用拉曼光谱仪、SEM和XRD分析仪对样品进行了分析,结果显示样品具有纳米金刚石膜的基本特征.研究表明,在高甲烷浓度条件下,直流热阴极PCVD间歇生长模式可有效去除生长腔内的游离碳成分,实现正常放电激励,维持正常生长,制备出纳米金刚石膜.
採用直流熱陰極PCVD技術,經過生長溫度的週期性調整,達到清除多餘遊離碳和刻蝕非金剛石相的目的,實現瞭在高甲烷濃度條件下製備納米金剛石膜.金剛石膜的生長過程分為沉積階段和刻蝕去除階段,沉積時間為15min,刻蝕時間為5min,生長週期為20min,總的沉積時間為6h.採用拉曼光譜儀、SEM和XRD分析儀對樣品進行瞭分析,結果顯示樣品具有納米金剛石膜的基本特徵.研究錶明,在高甲烷濃度條件下,直流熱陰極PCVD間歇生長模式可有效去除生長腔內的遊離碳成分,實現正常放電激勵,維持正常生長,製備齣納米金剛石膜.
채용직류열음겁PCVD기술,경과생장온도적주기성조정,체도청제다여유리탄화각식비금강석상적목적,실현료재고갑완농도조건하제비납미금강석막.금강석막적생장과정분위침적계단화각식거제계단,침적시간위15min,각식시간위5min,생장주기위20min,총적침적시간위6h.채용랍만광보의、SEM화XRD분석의대양품진행료분석,결과현시양품구유납미금강석막적기본특정.연구표명,재고갑완농도조건하,직류열음겁PCVD간헐생장모식가유효거제생장강내적유리탄성분,실현정상방전격려,유지정상생장,제비출납미금강석막.
