广州化工
廣州化工
엄주화공
GUANGZHOU CHEMICAL INDUSTRY AND TECHNOLOGY
2010年
2期
54-56,67
,共4页
邹智毅%魏小兰%李丽坤%付珍%方军%古国榜
鄒智毅%魏小蘭%李麗坤%付珍%方軍%古國榜
추지의%위소란%리려곤%부진%방군%고국방
掺磷中孔SiO2%中温%质子电导
摻燐中孔SiO2%中溫%質子電導
참린중공SiO2%중온%질자전도
合成了孔壁掺磷中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比表面积为407m2g-1,BJH平均孔径为6.1nm.用交流阻抗技术测定了除去游离P2O5的掺磷中孔SiO2在30℃～200℃范围内100%相对湿度下的质子电导,样品导电率随温度升高而升高,在150℃和100%相对湿度下,样品的电导可达3.1×10-3S·cm-1,比纯中孔SiO2(m-SiO2)的电导约高一个数量级,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量为31个分子/nm2,而m-SiO2只有24个分子/nm2.
閤成瞭孔壁摻燐中孔SiO2(m-PH-SiO2),其BET比錶麵積為407m2g-1,BJH平均孔徑為6.1nm.用交流阻抗技術測定瞭除去遊離P2O5的摻燐中孔SiO2在30℃～200℃範圍內100%相對濕度下的質子電導,樣品導電率隨溫度升高而升高,在150℃和100%相對濕度下,樣品的電導可達3.1×10-3S·cm-1,比純中孔SiO2(m-SiO2)的電導約高一箇數量級,原因是m-PH-SiO2的物理吸附水量為31箇分子/nm2,而m-SiO2隻有24箇分子/nm2.
합성료공벽참린중공SiO2(m-PH-SiO2),기BET비표면적위407m2g-1,BJH평균공경위6.1nm.용교류조항기술측정료제거유리P2O5적참린중공SiO2재30℃～200℃범위내100%상대습도하적질자전도,양품도전솔수온도승고이승고,재150℃화100%상대습도하,양품적전도가체3.1×10-3S·cm-1,비순중공SiO2(m-SiO2)적전도약고일개수량급,원인시m-PH-SiO2적물리흡부수량위31개분자/nm2,이m-SiO2지유24개분자/nm2.
