湖南工程学院学报（自然科学版）
湖南工程學院學報（自然科學版）
호남공정학원학보（자연과학판）
JOURNAL OF HUNAN INSTITUTE OF ENGINEERING(NATURAL SCIENCE EDITION)
2008年
4期
37-39
,共3页
肖清泉%谢泉%杨吟野%余志强%赵珂杰
肖清泉%謝泉%楊吟野%餘誌彊%趙珂傑
초청천%사천%양음야%여지강%조가걸
环境半导体%Ca2Si薄膜%磁控溅射%椭偏光谱
環境半導體%Ca2Si薄膜%磁控濺射%橢偏光譜
배경반도체%Ca2Si박막%자공천사%타편광보
采用磁控溅射系统成功地制备出了环境半导体Ca2Si薄膜,并对制备出的Ca2Si薄膜进行了椭偏光谱测量研究,得到了不同退火温度下Ca2Si薄膜的光学常数谱.结果表明,Ca2Si薄膜的折射率在4.3 eV附近取得极小值,其消光系数在3.3 eV附近取得极大值.
採用磁控濺射繫統成功地製備齣瞭環境半導體Ca2Si薄膜,併對製備齣的Ca2Si薄膜進行瞭橢偏光譜測量研究,得到瞭不同退火溫度下Ca2Si薄膜的光學常數譜.結果錶明,Ca2Si薄膜的摺射率在4.3 eV附近取得極小值,其消光繫數在3.3 eV附近取得極大值.
채용자공천사계통성공지제비출료배경반도체Ca2Si박막,병대제비출적Ca2Si박막진행료타편광보측량연구,득도료불동퇴화온도하Ca2Si박막적광학상수보.결과표명,Ca2Si박막적절사솔재4.3 eV부근취득겁소치,기소광계수재3.3 eV부근취득겁대치.
