发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2008年
3期
567-572
,共6页
张强%陈泽祥%朱炳金%王小菊%于涛
張彊%陳澤祥%硃炳金%王小菊%于濤
장강%진택상%주병금%왕소국%우도
空间电荷效应%碳纳米管%场致发射%微波等离子体化学气相沉积
空間電荷效應%碳納米管%場緻髮射%微波等離子體化學氣相沉積
공간전하효응%탄납미관%장치발사%미파등리자체화학기상침적
采用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)方法成功制备以碳纳米管束为单元的场致发射阵列,获得很好的场致发射电流发射特性,在电流密度较大时,发现I-V特性偏离由Fowler-Nordheim公式计算出的结果.采用Electron Beam Simulation(EBS)软件进行模拟分析发现:在电流密度较低时,I-V特性能很好与F-N公式吻合.但碳纳米管尖端电流密度大于106 A/cm2时,碳纳米管尖端处的有效电场强度受空间电荷的影响比较明显,进而对碳纳米管的场致发射特性显现出不可忽略的影响,此时碳纳米管的发射电流密度开始受到空间电荷的限制.
採用微波等離子體化學氣相沉積(MWPCVD)方法成功製備以碳納米管束為單元的場緻髮射陣列,穫得很好的場緻髮射電流髮射特性,在電流密度較大時,髮現I-V特性偏離由Fowler-Nordheim公式計算齣的結果.採用Electron Beam Simulation(EBS)軟件進行模擬分析髮現:在電流密度較低時,I-V特性能很好與F-N公式吻閤.但碳納米管尖耑電流密度大于106 A/cm2時,碳納米管尖耑處的有效電場彊度受空間電荷的影響比較明顯,進而對碳納米管的場緻髮射特性顯現齣不可忽略的影響,此時碳納米管的髮射電流密度開始受到空間電荷的限製.
채용미파등리자체화학기상침적(MWPCVD)방법성공제비이탄납미관속위단원적장치발사진렬,획득흔호적장치발사전류발사특성,재전류밀도교대시,발현I-V특성편리유Fowler-Nordheim공식계산출적결과.채용Electron Beam Simulation(EBS)연건진행모의분석발현:재전류밀도교저시,I-V특성능흔호여F-N공식문합.단탄납미관첨단전류밀도대우106 A/cm2시,탄납미관첨단처적유효전장강도수공간전하적영향비교명현,진이대탄납미관적장치발사특성현현출불가홀략적영향,차시탄납미관적발사전류밀도개시수도공간전하적한제.
