材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2008年
z1期
325-328,337
,共5页
王晓娟%殷明志%林鸿鹏%张鹤飞
王曉娟%慇明誌%林鴻鵬%張鶴飛
왕효연%은명지%림홍붕%장학비
溶胶-凝胶工艺%SrNbxTi1-xO3薄膜%电学性能
溶膠-凝膠工藝%SrNbxTi1-xO3薄膜%電學性能
용효-응효공예%SrNbxTi1-xO3박막%전학성능
采用湿化学工艺在硅衬底上成功地制备了结构致密、均匀且无龟裂的SrNbxTi1-xO3薄膜.金属盐的冰醋酸溶液经回流再加入乙酸酐除去无机阴离子和结晶水,形成的金属醋酸盐与适当的络合剂形成的多配体络合物经部分水解生成的羟基化合物M(OH)n-x(L)x(L=C4H6O6或AcAc,M=Sr或Ti或Nb)经羟基聚合形成SrNbxTi1-xO3簇状溶胶.丙三醇抑制了羟基金属过度聚合,甲基纤维素(MCL)使SrNbxTi1-xO溶胶具有网状结构.SrNb0.1Ti0.9O3(SNTO)凝胶薄膜经过650～750℃/30min退火形成假立方钙钛矿结构.应用XRD、SEM和TEM对薄膜结构和形貌进行表征.室温下SNTO薄膜的电阻率为54μΩ·cm,而在160K到室温之间薄膜电阻率随温度的变化遵从p=p0+AT2.分析结果表明:Nb5+离子的施主掺杂改变了禁带宽度,实现了SrTiO3的n-型半导体化.SNTO(100)/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜的择优取向明显,较之于Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的PZT薄膜有良好的铁电性,其剩余极化强度也比PZT/Pt(111)/Ti/SiO2/Si的大.
採用濕化學工藝在硅襯底上成功地製備瞭結構緻密、均勻且無龜裂的SrNbxTi1-xO3薄膜.金屬鹽的冰醋痠溶液經迴流再加入乙痠酐除去無機陰離子和結晶水,形成的金屬醋痠鹽與適噹的絡閤劑形成的多配體絡閤物經部分水解生成的羥基化閤物M(OH)n-x(L)x(L=C4H6O6或AcAc,M=Sr或Ti或Nb)經羥基聚閤形成SrNbxTi1-xO3簇狀溶膠.丙三醇抑製瞭羥基金屬過度聚閤,甲基纖維素(MCL)使SrNbxTi1-xO溶膠具有網狀結構.SrNb0.1Ti0.9O3(SNTO)凝膠薄膜經過650～750℃/30min退火形成假立方鈣鈦礦結構.應用XRD、SEM和TEM對薄膜結構和形貌進行錶徵.室溫下SNTO薄膜的電阻率為54μΩ·cm,而在160K到室溫之間薄膜電阻率隨溫度的變化遵從p=p0+AT2.分析結果錶明:Nb5+離子的施主摻雜改變瞭禁帶寬度,實現瞭SrTiO3的n-型半導體化.SNTO(100)/Pt/Ti/SiO2/Si襯底上的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜的擇優取嚮明顯,較之于Pt/Ti/SiO2/Si襯底上的PZT薄膜有良好的鐵電性,其剩餘極化彊度也比PZT/Pt(111)/Ti/SiO2/Si的大.
채용습화학공예재규츤저상성공지제비료결구치밀、균균차무구렬적SrNbxTi1-xO3박막.금속염적빙작산용액경회류재가입을산항제거무궤음리자화결정수,형성적금속작산염여괄당적락합제형성적다배체락합물경부분수해생성적간기화합물M(OH)n-x(L)x(L=C4H6O6혹AcAc,M=Sr혹Ti혹Nb)경간기취합형성SrNbxTi1-xO3족상용효.병삼순억제료간기금속과도취합,갑기섬유소(MCL)사SrNbxTi1-xO용효구유망상결구.SrNb0.1Ti0.9O3(SNTO)응효박막경과650～750℃/30min퇴화형성가립방개태광결구.응용XRD、SEM화TEM대박막결구화형모진행표정.실온하SNTO박막적전조솔위54μΩ·cm,이재160K도실온지간박막전조솔수온도적변화준종p=p0+AT2.분석결과표명:Nb5+리자적시주참잡개변료금대관도,실현료SrTiO3적n-형반도체화.SNTO(100)/Pt/Ti/SiO2/Si츤저상적Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)박막적택우취향명현,교지우Pt/Ti/SiO2/Si츤저상적PZT박막유량호적철전성,기잉여겁화강도야비PZT/Pt(111)/Ti/SiO2/Si적대.
