CAJ | 학술논문

用溅射法在Si片上制备了厚度为140 nm的氧化铟锡(ITO)薄膜.X射线衍射研究表明所制备的薄膜为多晶结构.在1.5～4.5 eV范围内对ITO薄膜进行了椭偏测量.分别用德鲁德-洛伦茨谐振子(Drude+Lorenzoscillators)模型、层进模型结合有效介质近似模型对椭偏参量ψ、△进行了拟合,得到ITO薄膜的折射指数 n 的变化范围在1.8～2.6之间,可见光范围内消光系数 k 接近于零,在350 nm波长附近开始明显变化,且随着波长的减小 k 迅速增加.计算得到直接和间接光学带隙分别是3.8 eV和4.2 eV.并在1.5～4.5 eV段给出一套较为可靠的、具有实用价值的ITO介电常量和光学常量.
용천사법재Si편상제비료후도위140 nm적양화인석(ITO)박막.X사선연사연구표명소제비적박막위다정결구.재1.5～4.5 eV범위내대ITO박막진행료타편측량.분별용덕로덕-락륜자해진자(Drude+Lorenzoscillators)모형、층진모형결합유효개질근사모형대타편삼량ψ、△진행료의합,득도ITO박막적절사지수 n 적변화범위재1.8～2.6지간,가견광범위내소광계수 k 접근우령,재350 nm파장부근개시명현변화,차수착파장적감소 k 신속증가.계산득도직접화간접광학대극분별시3.8 eV화4.2 eV.병재1.5～4.5 eV단급출일투교위가고적、구유실용개치적ITO개전상량화광학상량.