物理学报
物理學報
물이학보
2008年
1期
103-110
,共8页
房振乾%胡明%张伟%张绪瑞
房振乾%鬍明%張偉%張緒瑞
방진건%호명%장위%장서서
理论模型%氧化介孔硅%微拉曼光谱%有效热导率
理論模型%氧化介孔硅%微拉曼光譜%有效熱導率
이론모형%양화개공규%미랍만광보%유효열도솔
利用基于有效介质理论的介孔硅传热机理,提出一个用于分析氧化介孔硅热导率的理论模型,对影响氧化介孔硅有效热导率的因素进行了理论分析,得出用于计算氧化介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备介孔硅,利用微拉曼光谱技术研究了氧化介孔硅热导率随所制备介孔硅孔隙率的变化规律,比较了经不同温度处理的氧化介孔硅的导热性能差异.孔隙率为60%.73.4%和78.8%的所制备介孔硅经300℃氧化处理后,其热导率值为8.625 W/(m·K),3.846 W/(m·K)和1.817 W/(m·K);孔隙率为73.4%的所制备介孔硅经450℃,600℃氧化处理后,其热导率值为2.466 W/(m·K)和2.100 W/(m·K).由计算氧化介孑L硅有效热导率的计算公式得出的相应氧化介孔硅的有效热导率理论值分别为4.549 W/(m·K),2.432 W/(m·K),1.792 W/(m·K),2.105 W/(m·K)和2.096W/(m·K).研究分析表明理论计算与所获得的试验数据相一致.氧化介孔硅极低的热导率以及良好的机械性能使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于热效应微系统中.
利用基于有效介質理論的介孔硅傳熱機理,提齣一箇用于分析氧化介孔硅熱導率的理論模型,對影響氧化介孔硅有效熱導率的因素進行瞭理論分析,得齣用于計算氧化介孔硅有效熱導率的計算公式.採用雙槽電化學腐蝕法製備介孔硅,利用微拉曼光譜技術研究瞭氧化介孔硅熱導率隨所製備介孔硅孔隙率的變化規律,比較瞭經不同溫度處理的氧化介孔硅的導熱性能差異.孔隙率為60%.73.4%和78.8%的所製備介孔硅經300℃氧化處理後,其熱導率值為8.625 W/(m·K),3.846 W/(m·K)和1.817 W/(m·K);孔隙率為73.4%的所製備介孔硅經450℃,600℃氧化處理後,其熱導率值為2.466 W/(m·K)和2.100 W/(m·K).由計算氧化介孑L硅有效熱導率的計算公式得齣的相應氧化介孔硅的有效熱導率理論值分彆為4.549 W/(m·K),2.432 W/(m·K),1.792 W/(m·K),2.105 W/(m·K)和2.096W/(m·K).研究分析錶明理論計算與所穫得的試驗數據相一緻.氧化介孔硅極低的熱導率以及良好的機械性能使其作為一種良好的熱絕緣材料有望廣汎應用于熱效應微繫統中.
이용기우유효개질이론적개공규전열궤리,제출일개용우분석양화개공규열도솔적이론모형,대영향양화개공규유효열도솔적인소진행료이론분석,득출용우계산양화개공규유효열도솔적계산공식.채용쌍조전화학부식법제비개공규,이용미랍만광보기술연구료양화개공규열도솔수소제비개공규공극솔적변화규률,비교료경불동온도처리적양화개공규적도열성능차이.공극솔위60%.73.4%화78.8%적소제비개공규경300℃양화처리후,기열도솔치위8.625 W/(m·K),3.846 W/(m·K)화1.817 W/(m·K);공극솔위73.4%적소제비개공규경450℃,600℃양화처리후,기열도솔치위2.466 W/(m·K)화2.100 W/(m·K).유계산양화개혈L규유효열도솔적계산공식득출적상응양화개공규적유효열도솔이론치분별위4.549 W/(m·K),2.432 W/(m·K),1.792 W/(m·K),2.105 W/(m·K)화2.096W/(m·K).연구분석표명이론계산여소획득적시험수거상일치.양화개공규겁저적열도솔이급량호적궤계성능사기작위일충량호적열절연재료유망엄범응용우열효응미계통중.
