电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
6期
2269-2274
,共6页
雷达%曾乐勇%夏玉学%陈松%梁静秋%王维彪
雷達%曾樂勇%夏玉學%陳鬆%樑靜鞦%王維彪
뢰체%증악용%하옥학%진송%량정추%왕유표
纳米线%冷阴极器件%场发射
納米線%冷陰極器件%場髮射
납미선%랭음겁기건%장발사
利用静电场理论计算了背栅极冷阴极器件的纳米线附近电场,给出电场分布的表示式及J-V曲线,并分析了几何参数对纳米线顶端表面电场的影响.结果表明,纳米线顶端表面产生巨大的电场,随着离纳米线顶端表面距离的增大,电场迅速下降;纳米线突出栅孔的长度(L-d1)越大,纳米线半径r0、栅孔半径R以及栅极与阳极间距d2越小,则纳米线顶端表面电场越强,而d2较大时d2对表面电场的影响很弱;纳米线顶端边缘电流密度J随着阳极与栅极电压的增加而指数增大.
利用靜電場理論計算瞭揹柵極冷陰極器件的納米線附近電場,給齣電場分佈的錶示式及J-V麯線,併分析瞭幾何參數對納米線頂耑錶麵電場的影響.結果錶明,納米線頂耑錶麵產生巨大的電場,隨著離納米線頂耑錶麵距離的增大,電場迅速下降;納米線突齣柵孔的長度(L-d1)越大,納米線半徑r0、柵孔半徑R以及柵極與暘極間距d2越小,則納米線頂耑錶麵電場越彊,而d2較大時d2對錶麵電場的影響很弱;納米線頂耑邊緣電流密度J隨著暘極與柵極電壓的增加而指數增大.
이용정전장이론계산료배책겁랭음겁기건적납미선부근전장,급출전장분포적표시식급J-V곡선,병분석료궤하삼수대납미선정단표면전장적영향.결과표명,납미선정단표면산생거대적전장,수착리납미선정단표면거리적증대,전장신속하강;납미선돌출책공적장도(L-d1)월대,납미선반경r0、책공반경R이급책겁여양겁간거d2월소,칙납미선정단표면전장월강,이d2교대시d2대표면전장적영향흔약;납미선정단변연전류밀도J수착양겁여책겁전압적증가이지수증대.
