真空科学与技术学报
真空科學與技術學報
진공과학여기술학보
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY
2007年
6期
471-474
,共4页
高国华%叶志镇%简中祥%卢洋藩%胡少华%赵炳辉
高國華%葉誌鎮%簡中祥%盧洋藩%鬍少華%趙炳輝
고국화%협지진%간중상%로양번%호소화%조병휘
p型Zn1-xMgxO薄膜%Al、N共掺杂法%直流反应磁控溅射
p型Zn1-xMgxO薄膜%Al、N共摻雜法%直流反應磁控濺射
p형Zn1-xMgxO박막%Al、N공참잡법%직류반응자공천사
采用直流反应磁控溅射方法,由氨气和氧气的混合气体在玻璃和单晶硅衬底上制备Al、N共掺Zn1-xMgxO薄膜.采用XRD、FE-SEM、Hall实验、UV-VIS透射谱以及EDS等方法对共掺Zn1-xMgxO薄膜的结晶性能、电学和光学性能进行研究.结果表明:薄膜有明显的C轴择优取向,玻璃衬底上制备的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的电阻率为8.28 Ω穋m,空穴浓度和迁移率分别为1.09×1019 cm-3和0.069 cm2/V穝.并且掺Mg的ZnO薄膜透射光谱表现出明显的蓝移.p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si异质结的I-V特性曲线表现出明显的整流特性,可以确定制备的Al、N共掺Zn0.9Mg0.1O薄膜的导电类型是p型的.
採用直流反應磁控濺射方法,由氨氣和氧氣的混閤氣體在玻璃和單晶硅襯底上製備Al、N共摻Zn1-xMgxO薄膜.採用XRD、FE-SEM、Hall實驗、UV-VIS透射譜以及EDS等方法對共摻Zn1-xMgxO薄膜的結晶性能、電學和光學性能進行研究.結果錶明:薄膜有明顯的C軸擇優取嚮,玻璃襯底上製備的p-Zn0.9Mg0.1O薄膜的電阻率為8.28 Ω穋m,空穴濃度和遷移率分彆為1.09×1019 cm-3和0.069 cm2/V穝.併且摻Mg的ZnO薄膜透射光譜錶現齣明顯的藍移.p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si異質結的I-V特性麯線錶現齣明顯的整流特性,可以確定製備的Al、N共摻Zn0.9Mg0.1O薄膜的導電類型是p型的.
채용직류반응자공천사방법,유안기화양기적혼합기체재파리화단정규츤저상제비Al、N공참Zn1-xMgxO박막.채용XRD、FE-SEM、Hall실험、UV-VIS투사보이급EDS등방법대공참Zn1-xMgxO박막적결정성능、전학화광학성능진행연구.결과표명:박막유명현적C축택우취향,파리츤저상제비적p-Zn0.9Mg0.1O박막적전조솔위8.28 Ω륙m,공혈농도화천이솔분별위1.09×1019 cm-3화0.069 cm2/V최.병차참Mg적ZnO박막투사광보표현출명현적람이.p-Zn0.9Mg0.1O/n-Si이질결적I-V특성곡선표현출명현적정류특성,가이학정제비적Al、N공참Zn0.9Mg0.1O박막적도전류형시p형적.
