半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
1期
15-18
,共4页
邓勇%宣晓峰%许高斌%杨明武
鄧勇%宣曉峰%許高斌%楊明武
산용%선효봉%허고빈%양명무
单层多晶EEPROM%TCAD软件%等效模型%器件模拟
單層多晶EEPROM%TCAD軟件%等效模型%器件模擬
단층다정EEPROM%TCAD연건%등효모형%기건모의
利用TCAD软件对单层多晶EEPROM器件特性进行了模拟分析,介绍了单层多晶EEPROM存储单元结构与原理的基础,针对TCAD软件中模拟分析单层多晶EEPROM器件特性时存在的困难,提出了一种两个MOS管外加电阻的等效模型来替代单层多晶EEPROM存储单元结构进行等效模拟.通过编程模拟了单层多晶EEPROM器件性能,模拟分析得到的特性曲线与理论曲线能较好吻合,验证了等效模型方案的可行性.
利用TCAD軟件對單層多晶EEPROM器件特性進行瞭模擬分析,介紹瞭單層多晶EEPROM存儲單元結構與原理的基礎,針對TCAD軟件中模擬分析單層多晶EEPROM器件特性時存在的睏難,提齣瞭一種兩箇MOS管外加電阻的等效模型來替代單層多晶EEPROM存儲單元結構進行等效模擬.通過編程模擬瞭單層多晶EEPROM器件性能,模擬分析得到的特性麯線與理論麯線能較好吻閤,驗證瞭等效模型方案的可行性.
이용TCAD연건대단층다정EEPROM기건특성진행료모의분석,개소료단층다정EEPROM존저단원결구여원리적기출,침대TCAD연건중모의분석단층다정EEPROM기건특성시존재적곤난,제출료일충량개MOS관외가전조적등효모형래체대단층다정EEPROM존저단원결구진행등효모의.통과편정모의료단층다정EEPROM기건성능,모의분석득도적특성곡선여이론곡선능교호문합,험증료등효모형방안적가행성.
