半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
10期
1611-1614
,共4页
张庆钊%谢长青%刘明%李兵%朱效立
張慶釗%謝長青%劉明%李兵%硃效立
장경쇠%사장청%류명%리병%주효립
等离子体%鞘层理论%干法刻蚀%朗谬尔探针
等離子體%鞘層理論%榦法刻蝕%朗謬爾探針
등리자체%초층이론%간법각식%랑류이탐침
通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.
通過實驗對適用于90nm多晶硅柵刻蝕工藝中過刻蝕階段等離子體的性質進行瞭研究分析.實驗採用滿足200mm硅晶片刻蝕的電感耦閤多晶硅刻蝕設備,藉助等離子體分析儀器(朗繆爾探針)進行實驗數據測定,得到瞭等離子體性質與功率、氣體流量等外部參數的關繫.實驗錶明在射頻功率增加的過程中,能量耦閤繫數處于一箇相對穩定的常值;噹等離子體處于跼部加熱狀態時,絕大部分的電子處于附著狀態,維持等離子體的電子數目相對減少.等離子體中的射頻能量耦閤空間隨著射頻功率的增加,分佈狀態會變得更加一緻化.
통과실험대괄용우90nm다정규책각식공예중과각식계단등리자체적성질진행료연구분석.실험채용만족200mm규정편각식적전감우합다정규각식설비,차조등리자체분석의기(랑무이탐침)진행실험수거측정,득도료등리자체성질여공솔、기체류량등외부삼수적관계.실험표명재사빈공솔증가적과정중,능량우합계수처우일개상대은정적상치;당등리자체처우국부가열상태시,절대부분적전자처우부착상태,유지등리자체적전자수목상대감소.등리자체중적사빈능량우합공간수착사빈공솔적증가,분포상태회변득경가일치화.
