稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2007年
z1期
921-924
,共4页
兰伟%董国波%张铭%王波%严辉%王印月
蘭偉%董國波%張銘%王波%嚴輝%王印月
란위%동국파%장명%왕파%엄휘%왕인월
Cu-Al-O薄膜%衬底温度%透过率%电导率
Cu-Al-O薄膜%襯底溫度%透過率%電導率
Cu-Al-O박막%츤저온도%투과솔%전도솔
使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射频磁控溅射法沉积Cu-Al-O薄膜.傅立叶变换红外光谱显示薄膜中存在与CuAlO2相关的Cu-O,Al-O和O-Cu-O键.在可见光范围内Cu-Al-O薄膜具有较好的透过性,衬底温度为400℃～500℃时薄膜透过率在60%～70%之间,计算拟合得到Cu-Al-O薄膜的直接和间接带隙能分别为3.52 eV和1.83 eV左右,与多晶CuAlO2薄膜结果一致.在近室温区薄膜符合半导体热激活导电机制,其电导率随衬底温度的升高先增大后减小,500℃沉积的薄膜导电性较好,室温电导率达到2.36×10-3 S·cm-1,这可能源于Cu-Al-O薄膜中与CuAlO2相关的键合形成情况的改善.
使用多晶CuAlO2陶瓷靶,利用射頻磁控濺射法沉積Cu-Al-O薄膜.傅立葉變換紅外光譜顯示薄膜中存在與CuAlO2相關的Cu-O,Al-O和O-Cu-O鍵.在可見光範圍內Cu-Al-O薄膜具有較好的透過性,襯底溫度為400℃～500℃時薄膜透過率在60%～70%之間,計算擬閤得到Cu-Al-O薄膜的直接和間接帶隙能分彆為3.52 eV和1.83 eV左右,與多晶CuAlO2薄膜結果一緻.在近室溫區薄膜符閤半導體熱激活導電機製,其電導率隨襯底溫度的升高先增大後減小,500℃沉積的薄膜導電性較好,室溫電導率達到2.36×10-3 S·cm-1,這可能源于Cu-Al-O薄膜中與CuAlO2相關的鍵閤形成情況的改善.
사용다정CuAlO2도자파,이용사빈자공천사법침적Cu-Al-O박막.부립협변환홍외광보현시박막중존재여CuAlO2상관적Cu-O,Al-O화O-Cu-O건.재가견광범위내Cu-Al-O박막구유교호적투과성,츤저온도위400℃～500℃시박막투과솔재60%～70%지간,계산의합득도Cu-Al-O박막적직접화간접대극능분별위3.52 eV화1.83 eV좌우,여다정CuAlO2박막결과일치.재근실온구박막부합반도체열격활도전궤제,기전도솔수츤저온도적승고선증대후감소,500℃침적적박막도전성교호,실온전도솔체도2.36×10-3 S·cm-1,저가능원우Cu-Al-O박막중여CuAlO2상관적건합형성정황적개선.
