半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
1期
92-95
,共4页
唐瑜%郝跃%孟志琴%马晓华
唐瑜%郝躍%孟誌琴%馬曉華
당유%학약%맹지금%마효화
等离子体损伤%天线结构%通孔%铜大马士革工艺
等離子體損傷%天線結構%通孔%銅大馬士革工藝
등리자체손상%천선결구%통공%동대마사혁공예
研究了等离子体工艺对90nm铜大马士革工艺器件的损伤.对nMOSFET和pMOSFET分别进行了HCI和NBTI应力实验,实验结果证明天线比仍是反应等离子体损伤重要的标准且通孔天线结构器件的损伤最大,并从通孔刻蚀工艺过程中解释其原因.
研究瞭等離子體工藝對90nm銅大馬士革工藝器件的損傷.對nMOSFET和pMOSFET分彆進行瞭HCI和NBTI應力實驗,實驗結果證明天線比仍是反應等離子體損傷重要的標準且通孔天線結構器件的損傷最大,併從通孔刻蝕工藝過程中解釋其原因.
연구료등리자체공예대90nm동대마사혁공예기건적손상.대nMOSFET화pMOSFET분별진행료HCI화NBTI응력실험,실험결과증명천선비잉시반응등리자체손상중요적표준차통공천선결구기건적손상최대,병종통공각식공예과정중해석기원인.
