大学化学
大學化學
대학화학
UNIVERSITY CHEMISTRY
2006年
5期
27-30
,共4页
氮化镓是Ⅲ-Ⅴ族半导体中最重要的材料之一,有着极其优良的发光性质和半导体性质.在一维氮化镓纳米材料的制备方面,已经发展出了许多方法,如气相-模板合成法、气-液-固(VLS)合成法、氧化辅助合成等.本文主要介绍其中几个有代表性的方法,并对该领域进行了展望.
氮化鎵是Ⅲ-Ⅴ族半導體中最重要的材料之一,有著極其優良的髮光性質和半導體性質.在一維氮化鎵納米材料的製備方麵,已經髮展齣瞭許多方法,如氣相-模闆閤成法、氣-液-固(VLS)閤成法、氧化輔助閤成等.本文主要介紹其中幾箇有代錶性的方法,併對該領域進行瞭展望.
담화가시Ⅲ-Ⅴ족반도체중최중요적재료지일,유착겁기우량적발광성질화반도체성질.재일유담화가납미재료적제비방면,이경발전출료허다방법,여기상-모판합성법、기-액-고(VLS)합성법、양화보조합성등.본문주요개소기중궤개유대표성적방법,병대해영역진행료전망.
