半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2006年
3期
209-211
,共3页
陶凯%俞跃辉%郑智宏%邹世昌
陶凱%俞躍輝%鄭智宏%鄒世昌
도개%유약휘%정지굉%추세창
二氧化铪%离子束增强沉积%高k电介质
二氧化鉿%離子束增彊沉積%高k電介質
이양화협%리자속증강침적%고k전개질
利用离子束增强沉积(IBED)技术在硅衬底上沉积得到50nm的二氧化铪薄膜.卢瑟福背散射(RBS)的结果指出样品表面有过量氧元素存在.X射线光电子能谱(XPS)显示退火前后薄膜内部化学键没有变化.透射电子显微镜(TEM)表明界面处有非晶铪氧硅化合物生成.电子衍射(ED)显示所制备的二氧化铪薄膜呈现长程无序、区域有序的多晶态.实验为HfO2作为高k电介质在集成电路制造中的应用提供了一种简单有效的方法.
利用離子束增彊沉積(IBED)技術在硅襯底上沉積得到50nm的二氧化鉿薄膜.盧瑟福揹散射(RBS)的結果指齣樣品錶麵有過量氧元素存在.X射線光電子能譜(XPS)顯示退火前後薄膜內部化學鍵沒有變化.透射電子顯微鏡(TEM)錶明界麵處有非晶鉿氧硅化閤物生成.電子衍射(ED)顯示所製備的二氧化鉿薄膜呈現長程無序、區域有序的多晶態.實驗為HfO2作為高k電介質在集成電路製造中的應用提供瞭一種簡單有效的方法.
이용리자속증강침적(IBED)기술재규츤저상침적득도50nm적이양화협박막.로슬복배산사(RBS)적결과지출양품표면유과량양원소존재.X사선광전자능보(XPS)현시퇴화전후박막내부화학건몰유변화.투사전자현미경(TEM)표명계면처유비정협양규화합물생성.전자연사(ED)현시소제비적이양화협박막정현장정무서、구역유서적다정태.실험위HfO2작위고k전개질재집성전로제조중적응용제공료일충간단유효적방법.
