微波学报
微波學報
미파학보
JOURNAL OF MICROWAVES
2005年
z1期
107-111
,共5页
陈继新%洪伟%严蘋蘋%殷晓星%程峰
陳繼新%洪偉%嚴蘋蘋%慇曉星%程峰
진계신%홍위%엄빈빈%은효성%정봉
低噪声放大器%CMOS%噪声系数%增益%1dB压缩点
低譟聲放大器%CMOS%譟聲繫數%增益%1dB壓縮點
저조성방대기%CMOS%조성계수%증익%1dB압축점
本文采用0.25μm CMOS工艺,设计和研制了800MHz频段低噪声放大器.放大器采用共源共栅结构,芯片内部埋置了螺旋电感.放大器的增益为16.4dB、噪声系数小于1.3dB、工作电压2.5V时,功耗为35mW.测试结果达到了设计指标,一致性良好.
本文採用0.25μm CMOS工藝,設計和研製瞭800MHz頻段低譟聲放大器.放大器採用共源共柵結構,芯片內部埋置瞭螺鏇電感.放大器的增益為16.4dB、譟聲繫數小于1.3dB、工作電壓2.5V時,功耗為35mW.測試結果達到瞭設計指標,一緻性良好.
본문채용0.25μm CMOS공예,설계화연제료800MHz빈단저조성방대기.방대기채용공원공책결구,심편내부매치료라선전감.방대기적증익위16.4dB、조성계수소우1.3dB、공작전압2.5V시,공모위35mW.측시결과체도료설계지표,일치성량호.
