微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
6期
702-705
,共4页
数/模接口电路%NMOS M-2M梯形电路%电流-电压转换电路
數/模接口電路%NMOS M-2M梯形電路%電流-電壓轉換電路
수/모접구전로%NMOS M-2M제형전로%전류-전압전환전로
介绍了一种单片集成的数模接口电路.它主要由两个8位D/A转换器、8个比较器通道和片上带隙基准源组成.设计中,采用了一种规则的全NMOS管构成的M-2M梯形电路,以及本文提出的电流-电压转换电路.电路采用1.2 μm双层多晶双层金属N阱CMOS工艺实现,芯片面积3.5 mm×2.7 mm.系统采用5 V双电源,正常工作时功耗约为500 mW.D/A转换器的有效工作位为7位,实现了确定的-3 V到+3.5 V的输出幅度,满摆幅输出建立时间小于1 μs.比较器通道的传输延迟小于10 ns.
介紹瞭一種單片集成的數模接口電路.它主要由兩箇8位D/A轉換器、8箇比較器通道和片上帶隙基準源組成.設計中,採用瞭一種規則的全NMOS管構成的M-2M梯形電路,以及本文提齣的電流-電壓轉換電路.電路採用1.2 μm雙層多晶雙層金屬N阱CMOS工藝實現,芯片麵積3.5 mm×2.7 mm.繫統採用5 V雙電源,正常工作時功耗約為500 mW.D/A轉換器的有效工作位為7位,實現瞭確定的-3 V到+3.5 V的輸齣幅度,滿襬幅輸齣建立時間小于1 μs.比較器通道的傳輸延遲小于10 ns.
개소료일충단편집성적수모접구전로.타주요유량개8위D/A전환기、8개비교기통도화편상대극기준원조성.설계중,채용료일충규칙적전NMOS관구성적M-2M제형전로,이급본문제출적전류-전압전환전로.전로채용1.2 μm쌍층다정쌍층금속N정CMOS공예실현,심편면적3.5 mm×2.7 mm.계통채용5 V쌍전원,정상공작시공모약위500 mW.D/A전환기적유효공작위위7위,실현료학정적-3 V도+3.5 V적수출폭도,만파폭수출건립시간소우1 μs.비교기통도적전수연지소우10 ns.
