512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器
512×512원PtSi초특기세루IR CCD도상전감기
512×512 Element PtSi Schottky-barrier IR CCD Image Sensor
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2003年 3期 154-156 ,共3页

    熊平%周旭东%邓光华%李作金%王颖%李华高%袁礼华%蒋志伟

    웅평%주욱동%산광화%리작금%왕영%리화고%원례화%장지위

    PtSi%CCD%图像传感器 PtSi%CCD%圖像傳感器
    PtSi%CCD%도상전감기
    研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD).器件采用最小2 μm设计规则,两层多晶硅结构.器件的像元尺寸为36 μm(H)×34 μm(V),填充系数为40%.器件工作在80 K温度下.在阵列帧频为30帧每秒及镜头为F/1条件下,器件噪声等效温差为0.15 K.用1 000 K黑体测得其探测率D*为1×1010 cm* Hz1/2/W.对器件设计及性能测试结果进行了介绍.
    연제료격행소묘단편식내선전이결구512×512원PtSi초특기세루홍외전하우합기건(CCD).기건채용최소2 μm설계규칙,량층다정규결구.기건적상원척촌위36 μm(H)×34 μm(V),전충계수위40%.기건공작재80 K온도하.재진렬정빈위30정매초급경두위F/1조건하,기건조성등효온차위0.15 K.용1 000 K흑체측득기탐측솔D*위1×1010 cm* Hz1/2/W.대기건설계급성능측시결과진행료개소.
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