功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
3期
248-251
,共4页
ECRPlasmaCVD%人工神经网络%气流配比%折射率%淀积速率
ECRPlasmaCVD%人工神經網絡%氣流配比%摺射率%澱積速率
ECRPlasmaCVD%인공신경망락%기류배비%절사솔%정적속솔
以实验数据为基础,运用人工神经网络方法,建立了电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECRPlasmaCVD)淀积硅的氮、氧化物介质膜的折射率、速率与气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)关系的数学模型,此模型在给定气流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)时所预测的成模折射率跟实验值符合得很好,为ECRPlasmaCVD淀积全介质光学膜的工艺打下坚实的基础.
以實驗數據為基礎,運用人工神經網絡方法,建立瞭電子迴鏇共振等離子體化學氣相沉積(ECRPlasmaCVD)澱積硅的氮、氧化物介質膜的摺射率、速率與氣流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)關繫的數學模型,此模型在給定氣流配比Q(N2)/Q(SiH4)和Q(O2)/Q(SiH4)時所預測的成模摺射率跟實驗值符閤得很好,為ECRPlasmaCVD澱積全介質光學膜的工藝打下堅實的基礎.
이실험수거위기출,운용인공신경망락방법,건립료전자회선공진등리자체화학기상침적(ECRPlasmaCVD)정적규적담、양화물개질막적절사솔、속솔여기류배비Q(N2)/Q(SiH4)화Q(O2)/Q(SiH4)관계적수학모형,차모형재급정기류배비Q(N2)/Q(SiH4)화Q(O2)/Q(SiH4)시소예측적성모절사솔근실험치부합득흔호,위ECRPlasmaCVD정적전개질광학막적공예타하견실적기출.
