物理学报
物理學報
물이학보
2000年
5期
1015-1018
,共4页
吴广明%王珏%汤学峰%顾牡%陈玲燕%沈军
吳廣明%王玨%湯學峰%顧牡%陳玲燕%瀋軍
오엄명%왕각%탕학봉%고모%진령연%침군
采用电子束蒸发制备金属锡薄膜,将其在250-400℃温度范围内进行等温氧化,研究锡薄膜的热氧化动力学机制.采用台阶仪、扫描电子显微镜、俄歇电子能谱仪和X射线衍射仪等方法研究锡薄膜氧化过程中厚度、组分、结构等演变.实验结果表明,在250-400℃温度范围内,锡膜氧化后氧化层按抛物线规律生长;转变活化能为0.34eV;锡膜氧化受到氧扩散机制的控制.研究得到氧化层的生长首先从形成SnO相开始,随着氧化的深入,SnO相分解形成Sn3O4相,最后转变为SnO2相的热氧化机理.
採用電子束蒸髮製備金屬錫薄膜,將其在250-400℃溫度範圍內進行等溫氧化,研究錫薄膜的熱氧化動力學機製.採用檯階儀、掃描電子顯微鏡、俄歇電子能譜儀和X射線衍射儀等方法研究錫薄膜氧化過程中厚度、組分、結構等縯變.實驗結果錶明,在250-400℃溫度範圍內,錫膜氧化後氧化層按拋物線規律生長;轉變活化能為0.34eV;錫膜氧化受到氧擴散機製的控製.研究得到氧化層的生長首先從形成SnO相開始,隨著氧化的深入,SnO相分解形成Sn3O4相,最後轉變為SnO2相的熱氧化機理.
채용전자속증발제비금속석박막,장기재250-400℃온도범위내진행등온양화,연구석박막적열양화동역학궤제.채용태계의、소묘전자현미경、아헐전자능보의화X사선연사의등방법연구석박막양화과정중후도、조분、결구등연변.실험결과표명,재250-400℃온도범위내,석막양화후양화층안포물선규률생장;전변활화능위0.34eV;석막양화수도양확산궤제적공제.연구득도양화층적생장수선종형성SnO상개시,수착양화적심입,SnO상분해형성Sn3O4상,최후전변위SnO2상적열양화궤리.
