太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
1998年
1期
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赵玉文%李仲明%何少琪%王文静%寥显伯%盛殊然%邓礼生%潘广勤
趙玉文%李仲明%何少琪%王文靜%寥顯伯%盛殊然%鄧禮生%潘廣勤
조옥문%리중명%하소기%왕문정%요현백%성수연%산례생%반엄근
多晶硅薄膜%太阳电池%快速热化学气相沉积
多晶硅薄膜%太暘電池%快速熱化學氣相沉積
다정규박막%태양전지%쾌속열화학기상침적
报道了快速热化学气相沉积(RTCVD)工艺制备多晶硅(poly-si)薄膜及电池的实验和结果.采用SiH2CL2作为原料气体,衬底温度为1030℃时,薄膜的生长速率为10nm/s.发现薄膜的平均晶粒度及载流子迁移率与衬底温度和材料有关.用该薄膜在未抛光重掺杂磷的硅衬底上制备1cm2的p+n结样品电池,无减反射涂层,其转换效率为4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).
報道瞭快速熱化學氣相沉積(RTCVD)工藝製備多晶硅(poly-si)薄膜及電池的實驗和結果.採用SiH2CL2作為原料氣體,襯底溫度為1030℃時,薄膜的生長速率為10nm/s.髮現薄膜的平均晶粒度及載流子遷移率與襯底溫度和材料有關.用該薄膜在未拋光重摻雜燐的硅襯底上製備1cm2的p+n結樣品電池,無減反射塗層,其轉換效率為4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).
보도료쾌속열화학기상침적(RTCVD)공예제비다정규(poly-si)박막급전지적실험화결과.채용SiH2CL2작위원료기체,츤저온도위1030℃시,박막적생장속솔위10nm/s.발현박막적평균정립도급재류자천이솔여츤저온도화재료유관.용해박막재미포광중참잡린적규츤저상제비1cm2적p+n결양품전지,무감반사도층,기전환효솔위4.54%(AM1.5,100mW/cm2,25℃).
