半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
1999年
5期
34-35
,共2页
F离子注入%SIMOX%材料%SIMS分析%抗辐射
F離子註入%SIMOX%材料%SIMS分析%抗輻射
F리자주입%SIMOX%재료%SIMS분석%항복사
实验中采用三种剂量注入SIMOX(注氧隔离硅)材料中,注入剂量分别为5×1012F+/cm2,5×1013F+/cm2,1×1015F+/cm2,用SIMS技术分析了F在材料中的浓度分布,结果表明,随着注F+能量和剂量的改变,F+在材料中的深度分布也相应改变.
實驗中採用三種劑量註入SIMOX(註氧隔離硅)材料中,註入劑量分彆為5×1012F+/cm2,5×1013F+/cm2,1×1015F+/cm2,用SIMS技術分析瞭F在材料中的濃度分佈,結果錶明,隨著註F+能量和劑量的改變,F+在材料中的深度分佈也相應改變.
실험중채용삼충제량주입SIMOX(주양격리규)재료중,주입제량분별위5×1012F+/cm2,5×1013F+/cm2,1×1015F+/cm2,용SIMS기술분석료F재재료중적농도분포,결과표명,수착주F+능량화제량적개변,F+재재료중적심도분포야상응개변.
