红外与毫米波学报
紅外與毫米波學報
홍외여호미파학보
JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
2002年
z1期
7-10
,共4页
江德生%王江波%C.Navarro%梁晓甘%陈志标%俞水清%S.Chaparro%S.Johnson%曹勇%张永航
江德生%王江波%C.Navarro%樑曉甘%陳誌標%俞水清%S.Chaparro%S.Johnson%曹勇%張永航
강덕생%왕강파%C.Navarro%량효감%진지표%유수청%S.Chaparro%S.Johnson%조용%장영항
GaAsSb%量子阱,激光,光致发光
GaAsSb%量子阱,激光,光緻髮光
GaAsSb%양자정,격광,광치발광
研究了GaAsSb/GaAs应变量子阱及应变补偿量子阱激光器结构的光致发光和电注入发光.结果表明,分子束外延生长温度的改变使量子阱发光性能发生系统性变化,证明生长温度对量子阱中锑的组分和界面质量具有重要影响. 同时,低温光致发光峰的波长随激发功率密度增大发生明显蓝移,具有Ⅱ类量子阱的特点. 应变补偿量子阱激光器在波长为1.3μm附近激射,阈值电流密度约为1.8kA/cm2.
研究瞭GaAsSb/GaAs應變量子阱及應變補償量子阱激光器結構的光緻髮光和電註入髮光.結果錶明,分子束外延生長溫度的改變使量子阱髮光性能髮生繫統性變化,證明生長溫度對量子阱中銻的組分和界麵質量具有重要影響. 同時,低溫光緻髮光峰的波長隨激髮功率密度增大髮生明顯藍移,具有Ⅱ類量子阱的特點. 應變補償量子阱激光器在波長為1.3μm附近激射,閾值電流密度約為1.8kA/cm2.
연구료GaAsSb/GaAs응변양자정급응변보상양자정격광기결구적광치발광화전주입발광.결과표명,분자속외연생장온도적개변사양자정발광성능발생계통성변화,증명생장온도대양자정중제적조분화계면질량구유중요영향. 동시,저온광치발광봉적파장수격발공솔밀도증대발생명현람이,구유Ⅱ류양자정적특점. 응변보상양자정격광기재파장위1.3μm부근격사,역치전류밀도약위1.8kA/cm2.
