核电子学与探测技术
覈電子學與探測技術
핵전자학여탐측기술
NUCLEAR ELECTRONICS & DETECTION TECHNOLOGY
2002年
6期
559-562
,共4页
反熔丝FPGA%电离总剂量效应%加固技术
反鎔絲FPGA%電離總劑量效應%加固技術
반용사FPGA%전리총제량효응%가고기술
简要叙述了商用FPGA用于空间领域时面临的抗电离总剂量加固问题,对Actel公司反熔丝FPGA的电离总剂量效应进行了较为详细的分析,包括制造工艺、偏置条件、电泵对总剂量效应的影响.并特别指出,电泵的退化可能会对系统造成较为严重的后果,因此,必须重视加电后的瞬态变化.提出了可以采取的加固措施.
簡要敘述瞭商用FPGA用于空間領域時麵臨的抗電離總劑量加固問題,對Actel公司反鎔絲FPGA的電離總劑量效應進行瞭較為詳細的分析,包括製造工藝、偏置條件、電泵對總劑量效應的影響.併特彆指齣,電泵的退化可能會對繫統造成較為嚴重的後果,因此,必鬚重視加電後的瞬態變化.提齣瞭可以採取的加固措施.
간요서술료상용FPGA용우공간영역시면림적항전리총제량가고문제,대Actel공사반용사FPGA적전리총제량효응진행료교위상세적분석,포괄제조공예、편치조건、전빙대총제량효응적영향.병특별지출,전빙적퇴화가능회대계통조성교위엄중적후과,인차,필수중시가전후적순태변화.제출료가이채취적가고조시.
