半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
9期
921-924
,共4页
贾宏勇%刘志农%李高庆%钱佩信
賈宏勇%劉誌農%李高慶%錢珮信
가굉용%류지농%리고경%전패신
锗硅%异质结双极型晶体管%微波功率放大器
鍺硅%異質結雙極型晶體管%微波功率放大器
타규%이질결쌍겁형정체관%미파공솔방대기
SiGe%HBT%microwave power amplifier
报道了一种性能良好的SiGe功率放大器,具有用于无线通信的前景.在B类模式下工作时,输出功率可以达到30dBm.在AB类模式下,电源电压为4V工作时,1dB压缩点输出功率(P1dB)为24dBm,输出功率三阶交截点(TOI)为39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB压缩点的功率附加效率分别达到34%和25%.处理CDMA信号时的邻道功率抑制超过42dBc,符合IS95标准.
報道瞭一種性能良好的SiGe功率放大器,具有用于無線通信的前景.在B類模式下工作時,輸齣功率可以達到30dBm.在AB類模式下,電源電壓為4V工作時,1dB壓縮點輸齣功率(P1dB)為24dBm,輸齣功率三階交截點(TOI)為39dBm.最大的功率附加效率(PAE)和在1dB壓縮點的功率附加效率分彆達到34%和25%.處理CDMA信號時的鄰道功率抑製超過42dBc,符閤IS95標準.
보도료일충성능량호적SiGe공솔방대기,구유용우무선통신적전경.재B류모식하공작시,수출공솔가이체도30dBm.재AB류모식하,전원전압위4V공작시,1dB압축점수출공솔(P1dB)위24dBm,수출공솔삼계교절점(TOI)위39dBm.최대적공솔부가효솔(PAE)화재1dB압축점적공솔부가효솔분별체도34%화25%.처리CDMA신호시적린도공솔억제초과42dBc,부합IS95표준.
Good performance SiGe power amplifiers applicable to wireless communications are demonstrated.The output power can reach more than 30dBm in class B mode.And in class AB mode,the output power at 1dB compression point (P1dB) is 24dBm,the output third order intercept (TOI) power is 39dBm under Vcc of 4V.The highest power added efficiency (PAE) and PAE at 1dB compression point are 34% and 25%,respectively.The adjacent channel power rejection for CDMA signal is more than 42dBc,which complies with IS95 specification.