STM热化学烧孔方式的信息存储——写入脉冲幅值和脉宽对信息点尺寸的影响
STM열화학소공방식적신식존저——사입맥충폭치화맥관대신식점척촌적영향
STM Thermochemical Hole Burning Memory——Influence of Pulse Voltage and Duration on Hole Size
  • 万方数据
    高等学校化学学报 고등학교화학학보
    CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
    2001年 7期 1222-1224 ,共3页

    雷晓钧%陈海峰%刘忠范

    뢰효균%진해봉%류충범

    STM%信息存储%热化学成孔%THB STM%信息存儲%熱化學成孔%THB
    STM%신식존저%열화학성공%THB


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