半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
5期
917-921
,共5页
王立%方文卿%蒲勇%郑畅达%戴江南%莫春兰%江风益
王立%方文卿%蒲勇%鄭暢達%戴江南%莫春蘭%江風益
왕립%방문경%포용%정창체%대강남%막춘란%강풍익
GaN%ZnO%金属有机物化学气相沉积%X射线双晶衍射%色散效应
GaN%ZnO%金屬有機物化學氣相沉積%X射線雙晶衍射%色散效應
GaN%ZnO%금속유궤물화학기상침적%X사선쌍정연사%색산효응
在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中,观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象.经研究证实,这是由于Kα2线参与衍射引起的.通过计算Kα1和Kα2线在不同晶面衍射的分离角并与实验现象对比,阐明了GaN样品(102)半峰宽比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因.在此基础上,进一步分析了在使用不同参考晶体的双晶衍射系统中,GaN和ZnO的各晶面被X射线色散展宽的情况,并提出,在使用Si,Ge或GaAs的(220)面为参考晶面的双晶衍射仪中,GaN和ZnO的(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应的影响小;而在使用Si,Ge或GaAs的(004)面为参考晶面的双晶衍射系统中,(002)和(102)面摇摆曲线的半峰宽受色散效应影响较大,此时(004)和(103)受色散影响小,因此用来表征晶体质量将更可靠.
在用X射線雙晶衍射研究GaN和ZnO結晶性能的實驗中,觀察到(102)非對稱衍射搖襬麯線的半峰寬比(002)對稱衍射更窄以及ZnO(002)搖襬麯線分裂的現象.經研究證實,這是由于Kα2線參與衍射引起的.通過計算Kα1和Kα2線在不同晶麵衍射的分離角併與實驗現象對比,闡明瞭GaN樣品(102)半峰寬比(002)小以及ZnO(002)衍射峰分裂的原因.在此基礎上,進一步分析瞭在使用不同參攷晶體的雙晶衍射繫統中,GaN和ZnO的各晶麵被X射線色散展寬的情況,併提齣,在使用Si,Ge或GaAs的(220)麵為參攷晶麵的雙晶衍射儀中,GaN和ZnO的(002)和(102)麵搖襬麯線的半峰寬受色散效應的影響小;而在使用Si,Ge或GaAs的(004)麵為參攷晶麵的雙晶衍射繫統中,(002)和(102)麵搖襬麯線的半峰寬受色散效應影響較大,此時(004)和(103)受色散影響小,因此用來錶徵晶體質量將更可靠.
재용X사선쌍정연사연구GaN화ZnO결정성능적실험중,관찰도(102)비대칭연사요파곡선적반봉관비(002)대칭연사경착이급ZnO(002)요파곡선분렬적현상.경연구증실,저시유우Kα2선삼여연사인기적.통과계산Kα1화Kα2선재불동정면연사적분리각병여실험현상대비,천명료GaN양품(102)반봉관비(002)소이급ZnO(002)연사봉분렬적원인.재차기출상,진일보분석료재사용불동삼고정체적쌍정연사계통중,GaN화ZnO적각정면피X사선색산전관적정황,병제출,재사용Si,Ge혹GaAs적(220)면위삼고정면적쌍정연사의중,GaN화ZnO적(002)화(102)면요파곡선적반봉관수색산효응적영향소;이재사용Si,Ge혹GaAs적(004)면위삼고정면적쌍정연사계통중,(002)화(102)면요파곡선적반봉관수색산효응영향교대,차시(004)화(103)수색산영향소,인차용래표정정체질량장경가고.
