物理学报
物理學報
물이학보
2005年
11期
5417-5421
,共5页
俞笑竹%王婷婷%叶超%宁兆元
俞笑竹%王婷婷%葉超%寧兆元
유소죽%왕정정%협초%저조원
低介电常数%SiCOH薄膜%碳氢掺杂
低介電常數%SiCOH薄膜%碳氫摻雜
저개전상수%SiCOH박막%탄경참잡
以十甲基环五硅氧烷和甲烷作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了k=2.45,485℃下的热稳定性优良的SiCOH低介电常数薄膜.通过薄膜结构的FTIR谱分析,比较了十甲基环五硅氧烷(D5)液态源和不同甲烷流量下制备的薄膜的键结构差异,发现在沉积过程中甲烷含量的增大,一方面有利于D5源环结构的保留,另一方面有利于薄膜中形成高密度的CHn基团.高密度碳氢大分子基团的存在降低了薄膜密度,结合薄膜中形成的本构孔隙、低极化率Si-C键以及-OH键减少的共同作用,导致薄膜介电常数的降低.
以十甲基環五硅氧烷和甲烷作為反應氣體,採用電子迴鏇共振等離子體化學氣相沉積(ECR-CVD)方法製備瞭k=2.45,485℃下的熱穩定性優良的SiCOH低介電常數薄膜.通過薄膜結構的FTIR譜分析,比較瞭十甲基環五硅氧烷(D5)液態源和不同甲烷流量下製備的薄膜的鍵結構差異,髮現在沉積過程中甲烷含量的增大,一方麵有利于D5源環結構的保留,另一方麵有利于薄膜中形成高密度的CHn基糰.高密度碳氫大分子基糰的存在降低瞭薄膜密度,結閤薄膜中形成的本構孔隙、低極化率Si-C鍵以及-OH鍵減少的共同作用,導緻薄膜介電常數的降低.
이십갑기배오규양완화갑완작위반응기체,채용전자회선공진등리자체화학기상침적(ECR-CVD)방법제비료k=2.45,485℃하적열은정성우량적SiCOH저개전상수박막.통과박막결구적FTIR보분석,비교료십갑기배오규양완(D5)액태원화불동갑완류량하제비적박막적건결구차이,발현재침적과정중갑완함량적증대,일방면유리우D5원배결구적보류,령일방면유리우박막중형성고밀도적CHn기단.고밀도탄경대분자기단적존재강저료박막밀도,결합박막중형성적본구공극、저겁화솔Si-C건이급-OH건감소적공동작용,도치박막개전상수적강저.
