俄歇复合对同质结InGaAs探测器探测率的影响
아헐복합대동질결InGaAs탐측기탐측솔적영향
Effect of Auger Recombination on Detectivity of Homojunction InGaAs Detector
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2006年 2期 123-127 ,共5页

    殷景志%时宝%李龙海%王一丁%杜国同%缪国庆%宋航%蒋红%金亿鑫

    은경지%시보%리룡해%왕일정%두국동%무국경%송항%장홍%금억흠

    InGaAs探测器%探测率%Auger复合 InGaAs探測器%探測率%Auger複閤
    InGaAs탐측기%탐측솔%Auger복합
    通过对InGaAs材料的俄歇(Auger)复合机制的理论分析,给出了少子寿命与材料组分、温度和载流子浓度的关系,从而得到材料参数等对InGaAs探测器的探测率影响的结果,优化材料参数和器件结构可抑制Auger复合机制,提高InGaAs探测器的探测率.
    통과대InGaAs재료적아헐(Auger)복합궤제적이론분석,급출료소자수명여재료조분、온도화재류자농도적관계,종이득도재료삼수등대InGaAs탐측기적탐측솔영향적결과,우화재료삼수화기건결구가억제Auger복합궤제,제고InGaAs탐측기적탐측솔.
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