半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2006年
3期
297-299
,共3页
钟四成%邓艳红%陈于伟%汪凌
鐘四成%鄧豔紅%陳于偉%汪凌
종사성%산염홍%진우위%왕릉
电荷藕荷器件%减薄%铟柱倒焊%量子效率
電荷藕荷器件%減薄%銦柱倒銲%量子效率
전하우하기건%감박%인주도한%양자효솔
正面照射的CCD在蓝光、紫外光区和在微光条件下的响应率低,从而作为主探测器在天文观测和空间导航等领域中的应用受到限制.通过减薄CCD采用背面照射,能大幅度提高其量子效率.研究了一种新的化学/机械减薄技术,采用这种技术可使减薄后CCD器件厚度小于20 μm,其量子效率由正面入射时的40%左右提高到背面入射时的80%左右.
正麵照射的CCD在藍光、紫外光區和在微光條件下的響應率低,從而作為主探測器在天文觀測和空間導航等領域中的應用受到限製.通過減薄CCD採用揹麵照射,能大幅度提高其量子效率.研究瞭一種新的化學/機械減薄技術,採用這種技術可使減薄後CCD器件厚度小于20 μm,其量子效率由正麵入射時的40%左右提高到揹麵入射時的80%左右.
정면조사적CCD재람광、자외광구화재미광조건하적향응솔저,종이작위주탐측기재천문관측화공간도항등영역중적응용수도한제.통과감박CCD채용배면조사,능대폭도제고기양자효솔.연구료일충신적화학/궤계감박기술,채용저충기술가사감박후CCD기건후도소우20 μm,기양자효솔유정면입사시적40%좌우제고도배면입사시적80%좌우.
